Не так давно были введены в маркировку классы карт SDHC (Secure Digital High-Capacity).
Что же означают эти странные обозначения?

Итак, существует 3 класса: Class 2, Class, 4 и Class 6. Все три класса характеризуют скоростные характеристики карт. Так Class 2 указывает, что минимальная непрерывная скорость передачи данных с этих карт — 2 МБ/с, Class 6 — 6 МБ/с. При этом максимальная скорость (как известно нелинейная) не регламентируется этими стандартами.

Но для чего же понадобилось ещё и внедрение субстандарта SDHC? А дело в том, что изначально стандарт SD позволял производить лишь карты объёмом до 2 Гбайт, что, очевидно, по современным меркам совершенно недостаточно. Проблема заключалась в файловой системе FAT16, не позволявшей наращивать ёмкость дальше. Именно для её решения и потребовался стандарт SDHC, использующий файловую систему FAT32. Он позволяет создавать флеш-карты объёмом до 32 Гбайт – такие, кстати, уже существуют, хотя они и весьма дорогие. Казалось бы, всё хорошо, однако ж не обошлось и без традиционной в таких случаях ложки дёгтя. Иными словами, возникли проблемы совместимости. SDHC-устройства обратно совместимы с SD-карточками, но вот SD-устройство с SDHC-карточкой работать не будет. Более того, существуют карты SD большого объёма, которые не соответствуют ни одной из спецификаций, и гарантировать их работоспособность с тем или иным устройством не может никто. Поэтому если вам предлагают карточку SD (а не SDHC), скажем, на 4 Гбайт – брать её не стоит, если, конечно, нет стопроцентной уверенности, что для вашего девайса нужна именно такая.

На данный момент максимальная ёмкость карт SDHC — 16 ГБ. На конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), проходившей в декабре 2007 года в Вашингтоне (США), компания Toshiba объявила о разработке новой технологии, которая в будущем станет ключевым компонентом в процессе создания флеш-накопителей с большой емкостью памяти (до 100 ГБ). В пресс-релизе компании указано, что двухтунельная слоевая технология (double-tunnel layer technology) или Sonos (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) является обновленной версией ранней разработки компании с более толстыми туннельными слоями. Функция «хранителя» информации в ней отведена слою кремниевых нанокристаллов толщиной 1,2 нм, лежащему между двумя 1 нм оксидными слоями. С целью лучшего контроля движения электронов-носителей данных, на кремниевые нанокристаллы наложен слой нитрида Si9N10, содержащий больше кремния, чем в предыдущей версии (Si3N4). Благодаря этому новая конструкция удерживает большее количество электронов, увеличена скорость записи и стирания данных.

Вот такой сэндвич способен аккумулировать данные в объеме до 100 ГБ, причем их хранение может длиться до 10 лет. Как это часто случается, есть все же одно «но», делающее на сегодняшний момент внедрение данной технологии неосуществимым – подобный сэндвич возможно сделать с применением 10-нм процесса. Это означает, что технологам необходимо поэтапно пройти путь от существующего 65 нм процесса изготовления флеш-памяти к 50 нм, затем к 45 нм и 32 нм. Как предсказывают ученые, ко времени достижения 10-нм технологии ныне популярный дизайн транзисторов с плавающим затвором («floating gate») станет неактуальным.

Заканчивая разговор об SD, коснёмся ещё одной аббревиатуры – SDIO (Secure Digital Input Output). Это расширение стандарта понадобилось для того, чтобы догнать по функционалу устройства с поддержкой Compact Flash. Оно позволяет устанавливать вместо флеш-карты миниатюрное устройство, ответственное за выполнение какой-нибудь специфической функции. Это может быть, к примеру, спутниковый навигатор, BlueTooth-адаптер, ТВ-тюнер… Однако и по сию пору список таких вот гаджетов для разъёма Compact Flash неизмеримо больше.

[Посещений: 41, из них сегодня: 1]

Добавить комментарий